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晶体管-FET,MOSFET

晶体管-FET,MOSFET
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南京电子呆料回收IC怎么样?深圳全一电子科技有限公司提供多种库存业务解决方案,以满足客户的需求。

比方说我们的产品晶体管-FET,MOSFET

产品型号;LSIC1MO170E1000

TO-247-3L

详细描述 通孔-N-通道-1700V-5A(Tc)-54W(Tc)-TO-247-3L

FET 类型 N 通道

技术 SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss) 1700V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 15V,20V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 2A,20V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 20V

Vgs(最大值) +22V,-6V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 1000V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 54W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

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