全一电子公司
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产品型号;SCT2H12NZGC11
描述 MOSFET N-CH 1700V 3.7A
详细描述 通孔-N-通道-1700V-3.7A(Tc)-35W(Tc)-TO-3PFM
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1700V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 18V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 1.1A,18V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 900µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 18V
Vgs(最大值) +22V,-6V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 184pF @ 800V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 35W(Tc)
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 通孔