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产品型号;SCT2H12NZGC11

描述 MOSFET N-CH 1700V 3.7A

详细描述 通孔-N-通道-1700V-3.7A（Tc）-35W（Tc）-TO-3PFM

FET 类型 N 通道

技术 SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss） 1700V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.5 欧姆 @ 1.1A，18V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 900µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 14nC @ 18V

Vgs（最大值） +22V，-6V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 184pF @ 800V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 35W（Tc）

工作温度 175°C（TJ）

安装类型 通孔